晶圓切割是通過高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片（也是激光切割技術）在晶圓上切割單個裸片，以形成獨立的單個晶圓，為后續(xù)工藝做準備。

在切割過程當中，需要使用去離子水沖洗掉切割過程當中產(chǎn)生的硅渣并釋放出靜電。去離子水是由一臺二氧化碳純水機制備的，將二氧化碳氣體溶解在離子水中可下降水的阻力，從而促進靜電的釋放。

晶圓切割也稱為劃片，它使用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片在晶圓上切割單個裸片，以形成獨立的單個晶圓，為后續(xù)工藝做準備。晶圓切割需要設備，也需要特定的切割刀片。該設備被廣泛用于半導體晶圓切割，陶瓷片切割，藍寶石玻璃切割等。

繃片是一個晶圓切割前的晶圓固定工序，在晶圓的背面貼上一層藍膜，并固定在一個金屬框架上，以利于后面切割。在貼膜的過程當中要加60℃~80℃溫度，使藍膜能堅固粘貼在晶圓上。在切割過程當中，需要使用去離子水沖洗掉切割產(chǎn)生的硅渣并釋放出靜電。去離子水是由一臺二氧化碳純水機制備的。將二氧化碳氣體溶解在離子水中可下降水的阻力，從而促進靜電的釋放。紫外線照射是要對切割的藍膜進行紫外線照射，以下降藍膜的粘度并促進后續(xù)的拾取。

晶圓切割分為半切和全切兩種，半切是切割4/5晶圓厚度，不會切透晶圓，然后用機械方式（銅棒滾過）使其自動裂口形成獨立。