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晶體管和mos管區(qū)別是什么?

發(fā)布時間:2023-11-16 06:12:11 來源:互聯(lián)網(wǎng) 分類:電氣知識

文章摘要: mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即便兩端對調(diào)也不會影

mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即便兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被以為是對稱的。 ? ? 嚴厲意義上講,晶體管泛指一切以半導體資料為根底的單一元件,包括各種半導體資料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。 ? ? 晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。

晶體管和mos管區(qū)別是什么?

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