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壓力傳感器:壓力傳感器應(yīng)用領(lǐng)域

發(fā)布時間:2023-06-22 03:01:13 來源:互聯(lián)網(wǎng) 分類:電氣知識

文章摘要: 壓力傳感器:壓阻壓力傳感器主要基于壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)用于描述材料在機(jī)械應(yīng)力下的電阻變化。與上述壓電效應(yīng)不同,壓阻效應(yīng)只產(chǎn)生阻抗變化,不產(chǎn)生電荷。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)大多數(shù)金屬材料和半導(dǎo)體材料具有壓阻效應(yīng)。其中,半導(dǎo)體材料中的壓阻效應(yīng)遠(yuǎn)大于金屬中的壓阻效

壓力傳感器:壓阻壓力傳感器主要基于壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)用于描述材料在機(jī)械應(yīng)力下的電阻變化。與上述壓電效應(yīng)不同,壓阻效應(yīng)只產(chǎn)生阻抗變化,不產(chǎn)生電荷。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)大多數(shù)金屬材料和半導(dǎo)體材料具有壓阻效應(yīng)。其中,半導(dǎo)體材料中的壓阻效應(yīng)遠(yuǎn)大于金屬中的壓阻效應(yīng)。由于硅是當(dāng)今主要的集成電路,硅壓阻元件的應(yīng)用變得非常有意義。電阻的變化不僅來自于與應(yīng)力相關(guān)的幾何變形,還來自于材料本身的應(yīng)力相關(guān)電阻,使得其度因子比金屬大幾百倍。N型硅的電阻變化主要是由于其三個導(dǎo)帶谷對的位移造成載流子在不同遷移率的導(dǎo)帶谷之間重新分布,進(jìn)一步改變了電子在不同流向的遷移率。其次,由于有效質(zhì)量的變化與導(dǎo)帶谷形狀的變化有關(guān)。在p型硅中,這一現(xiàn)象變得更加復(fù)雜,也造成了等效質(zhì)量和空穴轉(zhuǎn)換的變化。壓阻式壓力傳感器通常通過導(dǎo)線連接到惠斯通電橋。平時敏感芯上沒有施加壓力,電橋處于平衡狀態(tài)(稱為零位)。當(dāng)傳感器受壓后芯片電阻發(fā)生變化時,電橋就會失去平衡。如果給電橋加一個恒流或恒壓電源,電橋就會輸出一個與壓力相對應(yīng)的電壓信號,使傳感器的電阻變化通過電橋轉(zhuǎn)換成壓力信號并輸出。電橋檢測電阻值的變化,經(jīng)過放大后,通過電壓電流轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電流信號。電流信號由非線性校正回路補(bǔ)償,產(chǎn)生420mA的標(biāo)準(zhǔn)輸出信號,線性對應(yīng)輸入電壓。

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