場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
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場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見(jiàn)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。
輸入/輸出特性測(cè)試
針對(duì)1A以下的MOSFET器件，推薦2臺(tái)S系 列源表搭建測(cè)試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿(mǎn)足小功率MOSFET測(cè)試的需求。
針對(duì)Z大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推 薦采用2臺(tái)P系列脈沖源表搭建測(cè)試方案，其Z大電壓 300V，Z大電流10A。
針對(duì)Z大電流為10A~100A的MOSFET功率器件， 推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測(cè)試方案，Z大電流高達(dá)100A。
閾值電壓VGS（th)
VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開(kāi)始有電流的VG S 值;測(cè)試儀表推薦S系列源表。
漏電流測(cè)試
GSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下 流過(guò)柵極的漏電流；IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當(dāng) VGS=0時(shí)，在指定的VDS下的DS之間漏電流，測(cè)試時(shí)推 薦使用一臺(tái)普賽斯S系列或P系列源表；
耐壓測(cè)試
擊穿電壓在300V以下推薦使用S 系列臺(tái)式源表或P系列脈沖源表，其Z大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，Z大電壓3500V。
C-V測(cè)試
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周鵬
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