寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源
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寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（I-V測(cè)試）、頻率特性（小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試）、功率特性（Load-Pull測(cè)試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來(lái)評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測(cè)試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對(duì)研發(fā)人員設(shè)計(jì)器件的驅(qū)動(dòng)電路具有重要的指導(dǎo)意義。
靜態(tài)測(cè)試方法，一般是在器件對(duì)應(yīng)的端子上加載電壓或者電流，并測(cè)試其對(duì)應(yīng)參數(shù)。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負(fù)壓。常見(jiàn)的靜態(tài)測(cè)試參數(shù)有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導(dǎo)通電阻、跨導(dǎo)、電流坍塌效應(yīng)測(cè)試等。寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；
武漢普賽斯儀表有限公司是，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
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周鵬
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