MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656J2334J000

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭，而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下：

1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳，但是價格更貴，因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：

1. 測損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風(fēng)來進行試驗，先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值，
然后用吹風(fēng)加熱電容器，再測電容值，若電容值變化過大，則為CL電容，反之為CBB電容。

薄膜電容有哪些用途？
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長期負載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途：旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時、電路振蕩器

特性：(1)優(yōu)異的抗脈沖能力；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：專門設(shè)計用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性：
(1)低損耗，高阻抗，高耐壓；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)
高容量穩(wěn)定性，采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封，電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號傳輸

特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長期負載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性

薄膜電容的應(yīng)用空間有哪些？
人們只有選擇適合的產(chǎn)品才能滿足自身的使用需求，選擇薄膜電容也是如此的，
全方面的了解電容器的技術(shù)并及時確保產(chǎn)品的應(yīng)用的范圍才可以滿足產(chǎn)品的性能
性能是該產(chǎn)品主要的優(yōu)勢，在當今的社會中，對于薄膜電容的使用需求是比較大
的，具有很大的發(fā)展空間
電容器是電子產(chǎn)業(yè)中重要的電子元件，在生產(chǎn)的過程中須與技術(shù)不斷的結(jié)合在
一起，有經(jīng)驗的技術(shù)可以提供更大的電容量以及更好的電器性能，這些產(chǎn)品的使
用與新的產(chǎn)品息息相關(guān)
良好性能的薄膜電容可以在遇到特殊環(huán)境的時候，依然保持高性能和高質(zhì)量，
保證了整個產(chǎn)品的持續(xù)使用
因此，薄膜電容在當今的社會中，具有很大的發(fā)展空間，尤其是在科技發(fā)展如
此迅速的今天
在電容器發(fā)展的迅速的今天，不斷滿足人們使用需求，進一步的達到理想的狀
態(tài)，增進了彼此之間的利益，給電容行業(yè)帶來更及時的滿足

哪些外在因素會影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見原因

一、使用中出問題的原因
1.運行電壓過高引起移相電容器過早淘汰，電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運行電壓的平方成正比，運行電壓的升高，使電容器溫度顯著增加，另外在長期電場的作用下，會加速電容器絕緣的老化

2.操作過電壓引起電容器的損壞，切斷并聯(lián)電容器組時，可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓，切斷過程中，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起強烈的電磁振蕩，出現(xiàn)更高的過電壓值。這一過電壓的幅值，與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破，任何額定電壓的電容器組，均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘，必須于開關(guān)斷開電容器放電3min后進行。

二、運行溫度過高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過高，目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計。環(huán)境溫度不超過40‘C的要求，在我國許多地區(qū)難以滿足。因此，新型的低壓無功補償裝置，其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計。

2.戶外式電容器日光直接照射，移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時，由于日光直接照射下，由于超溫運行原因。年損壞率很高，有的可達10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中，散熱不良，夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時，也會集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運行電流和輸出無功功率，大幅度地超過額定值。

2.當電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時，可能產(chǎn)生諧波共振過電壓


四、開關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時，如果開關(guān)不重燃、開斷時不會產(chǎn)生過電壓。也不會產(chǎn)生過電流。提高開關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長電容器使用壽命的一個重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小，所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響，面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過程中，膜層之間存在微量的空氣，且較難完全消除。電容器工作時，空氣在電場作用下，有可能被電離?？諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧，臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體，常溫下自行分解為氧，是一種強氧化劑，低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層（成份為Zn/Al）遇到臭氧分解的氧后立即氧化，生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3，實際表現(xiàn)為板面積減小，電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣，可以減緩電容量衰減。當膜層間的空氣被外界水份侵入時，空氣的擊穿電位會降低，加快空氣電離，產(chǎn)生大量的臭氧，氧化金屬化薄膜的金屬鍍層，電容器的容量會迅速下降。

TDK集團新推出超緊湊型愛普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器

TDK集團新推出超緊湊型愛普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路，尺寸僅為40 mm x 58 mm（深x長），額定電壓為直流350 V DC，電容值為65 μF。這意味著，這款訂貨號為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度，可提供比同類競爭產(chǎn)品高出50%的電容量。此外，新電容器占用的印刷電路板 （PCB） 空間相對較小，且等效串聯(lián)電阻 （ESR） 僅為10 mΩ，紋波電流能力強，達3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料，均具備UL 94 V0的阻燃等級，工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計，當溫度達到115 °C、電流達5 A時會自動跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波，如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波，一般直流應(yīng)用

主要特點與優(yōu)勢

超緊湊尺寸：40 mm x 58 mm（深x長）

超高電容密度：0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 （ESR）：僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計，與以往產(chǎn)品相比達到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。