薄膜電容器B32656S8125K565,MKP高脈沖繞線電容
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北京友盛興業(yè)科技有限公司
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TDK突波吸收電容
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7274K601, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A0225K000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0684J565,薄膜電容器B32656S0155K566
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薄膜電容器B32656S8125K565,MKP高脈沖繞線電容
聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭，而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。
兩者的主要區(qū)別如下：
1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。
2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。
3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。
4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。
5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。
由于CBB電容性能更佳，但是價格更貴，因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：
1. 測損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。
2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風來進行試驗，先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值，
然后用吹風加熱電容器，再測電容值，若電容值變化過大，則為CL電容，反之為CBB電容。
TDK-EPCOS B32520~B32529系列薄膜電容器
`EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器是符合AEC-Q200D標準的器件，具有高脈沖強度和高接觸可靠性。EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器采用堆疊薄膜技術，引線間距為5mm至15mm。該電容器采用繞線電容器技術，引線間距為10mm至37.0mm。應用包括汽車用阻斷耦合和去耦合、旁路連接以及射頻干擾 (RFI) 保護。
特性：
高脈沖強度
高接觸可靠性
電容范圍：0.001~220uF
引線間距：5~37.5mm
電容容差：±5%，±10%，±20%
應用：
汽車RFI，耦合，去耦等
TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器
TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產。該產品能應用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產品。TDK電容產業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產。
該產品能應用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產品。TDK電容產業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術”用于高頻元件的工法中，同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設備和高頻模塊產品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設計，與以往產品相比達到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。
2）確認收貨前請仔細核驗產品質量，避免出現(xiàn)以次充好的情況。
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