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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7564K562

2.5元2022-01-23 01:22:29
  • 北京友盛興業(yè)科技有限公司
  • TDK突波吸收電容
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7564K562

新型能源用薄膜電容器是什么東西?

薄膜電容 電容器依著介質(zhì)的不同,它的種類(lèi)很多,例如:電解質(zhì)電容、
紙質(zhì)電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。

但是在音響器材中使用最頻繁的,當(dāng)屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。

電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方,例如主電源部份的濾波
電容,除了濾波之外,并兼做儲(chǔ)存電能之用。

而薄膜電容則廣泛被使用在模擬信號(hào)的交連,電源噪聲的旁路(反交連)等
地方。

薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚笨乙烯或聚碳
酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。

而依塑料薄膜的種類(lèi)又被分別稱(chēng)為聚乙酯電容(又稱(chēng)Mylar電容),聚丙烯電
容(又稱(chēng)PP電容),聚苯乙烯電容(又稱(chēng)PS電容)和聚碳酸電容。

薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。

它的主要等性如下:無(wú)極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣
),而且介質(zhì)損失很小。

基于以上的優(yōu)點(diǎn),所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。

尤其是在信號(hào)交連的部份,必須使用頻率特性良好,介質(zhì)損失極低的電容
器,方能確保信號(hào)在傳送時(shí),不致有太大的失真情形發(fā)生。

在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中,又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的
特性最為顯著,當(dāng)然這兩種電容器的價(jià)格也比較高。

然而近年來(lái)音響器材為了提升聲音的品質(zhì),所采用的零件材料已愈來(lái)愈高
級(jí),價(jià)格并非最重要的考量因素,所以近年來(lái)PP電容和PS電容被使用在音響
器材的頻率與數(shù)量也愈來(lái)愈高。

通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞
在一起制成。

但是另外薄膜電容器又有一種制造法,叫做金屬化薄膜(Metallized Film),
其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。

如此可以省去電極箔的厚度,縮小電容器單位容量的體積,所以薄膜電容
器較容易做成小型,容量大的電容 器。

例如常見(jiàn)的MKP電容,就是金屬化聚丙烯膜電容器(Metailized Polypropylene
Film Capacitor)的代稱(chēng),而MKT則是金屬化聚乙酯電容(Metailized Polyester)的代稱(chēng)。

金屬化薄膜電容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等,除了
卷繞型之外,也有疊層型。

金屬化薄膜這種型態(tài)的電容器具有一種所謂的我我復(fù)原作用(Self Healing Action),
即假設(shè)電極的微小部份因?yàn)殡娊缳|(zhì)脆弱而引起短路時(shí),引起短路部份周?chē)碾姌O金屬,
會(huì)因當(dāng)時(shí)電容器所帶的靜電能量或短路電流,而引發(fā)更大面積的溶 融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕
緣,使電容器再度回復(fù)電容器的作用。

在音響器材中所使用的薄膜電容器,成名最早,知名度最高的,首推有紅色仙丹或
是德國(guó)仙丹之稱(chēng)的WIMA容器。

在早年臺(tái)灣還未出現(xiàn)所謂的補(bǔ)品零件時(shí),WIMA是當(dāng)時(shí)市面上唯一買(mǎi)得到的高級(jí)貨色。

雖然材料及技術(shù)的進(jìn)步及市場(chǎng)的需求,各種品牌的高級(jí)薄膜電容已經(jīng)多得令人眼花
繚亂,但WIMA仍應(yīng)是最為人所熟知的品牌。

而WIMA最有名的電容,則當(dāng)屬編號(hào)MKP-10的PP質(zhì)電容。

在WIMA之后,音響產(chǎn)品也使用得很多,很有歷史的,是同為德國(guó)品牌的ERO電容。

ERO電容最常見(jiàn)到的是綠色,也有一些是藍(lán)色,與WIMA同時(shí)組裝在電路板上時(shí),相映
成趣,煞是好看。

ERO是薄膜電容的牌子,而ROE則是另一種高級(jí)電解質(zhì)電容器的品牌,兩者英文字母一
樣,但順序不同,讀者不可搞混。

同為德國(guó)品牌,但是音響產(chǎn)品中使用得不太多的是西門(mén)子電容,這個(gè)牌子皂電解質(zhì)電容器
和薄膜電容器卻為德國(guó)的HI-END名廠MBL所樂(lè)于采用,而且表現(xiàn)極為出色,因此實(shí)力不容
小覷。

Philips是個(gè)很大的企業(yè)集團(tuán),旗下生產(chǎn)制造的產(chǎn)品種類(lèi)真是不計(jì)其數(shù),從最普及的民生家
電產(chǎn)品,到最尖端的太空科技,層面廣泛,當(dāng)然電容器的生產(chǎn),也是不會(huì)漏掉的。

它家的電容器,外表是呈現(xiàn)一種淡淡的水藍(lán)色,近來(lái)常??梢栽谝繇懫鞑闹邪l(fā)現(xiàn)。

Rifa是瑞典品牌的高級(jí)電容,常見(jiàn)到的PP質(zhì)電容是藍(lán)色的,規(guī)格特性與聲音表現(xiàn)均非常優(yōu)
秀,但是價(jià)格同樣地也非常昂貴,因此甚少有音響廠家使用,但是我只要指出三家使用此品
牌的音響名廠,你大概就可以明白它的實(shí)力所在了。

那三家呢?丹麥的Gryphon,美國(guó)的Mark Leivenson以及Cello。

Wonder電容及Relcap電容都是在這幾年很出過(guò)一陣子風(fēng)頭的高級(jí)電容,Wonder電容的使
用以Counterpoint的機(jī)器最為著名,Audio Research也使用它,外觀呈白色圓筒型,封膠是
綠色;Relcap則以Audio Research的使用最出名,外觀呈淡黃色的橢圓柱型。

法國(guó)的Solen電容這幾年也竄紅得很快,它的外觀呈圓筒型,黑色表皮,兩端封膠有磚紅
色及灰色兩種。

它是目前為止,唯一生產(chǎn)大容量MKP質(zhì)電容(可達(dá)200F)的知名廠家,因此Solen電容被大
量地采用于高級(jí)喇叭的分音器之中,舉其知名著有:丹麥的Dynaudio喇叭,美國(guó)的Infinity
喇叭(包括IRS-V的中高音柱),法國(guó)的JM Lab喇叭(旗鑒 的ALCOR及UTOPIA更別具用心地
在喇叭背板上,以透明的壓克力秀出特別定制的超級(jí)大Solen電容,以示其用料之不凡。

)此外,在許多知名廠家的晶體機(jī)或管機(jī)電路中均使用得很多。

MIT電容以歷史而言,是最年輕的高級(jí)電容,上市至今,可能連三年都不到,但是自從一推
出,即可以「轟動(dòng)武林,驚動(dòng)萬(wàn)教」來(lái)形容,曾經(jīng)一度是整個(gè)HI-END音響圈的話題。

究其原因一是它的構(gòu)造特殊,MIT電容是一種復(fù)合電容(Multi cap),意即一個(gè)電容實(shí)際上內(nèi)
部是由多個(gè)電容并聯(lián)復(fù)合而成,這么做有什么優(yōu)點(diǎn)呢?可以再一次地降低電容內(nèi)部的等效串聯(lián)
電阻及等效串聯(lián)電感值,使得MIT電容更接近于理想電容,所以一切該有的技術(shù)規(guī)格特性也都
是很優(yōu)秀的啰!當(dāng)然啦,這么做是得付出代價(jià)的,MIT電容的價(jià)格之昂貴,足以令想采用它的
廠家或個(gè)人望而卻步,這也是它第二個(gè)引人注目的地方。

另外它的體積以相同容量而言也比較大,在講究零件實(shí)裝密度的電路上,應(yīng)用的方便性會(huì)受限制。

它的外觀是白色的橢圓柱型,引線很粗,封膠則是黑色的,同時(shí)它有金屬箔及金屬化薄膜兩種型式。

結(jié)構(gòu)和紙介電容相同,介質(zhì)是滌[dí]綸或者聚苯乙烯。

滌綸薄膜電容,介電常數(shù)較高,體積小,容量大,穩(wěn)定性比較好,適宜做旁路電容。

聚苯乙烯薄膜電容,介質(zhì)損耗小,絕緣電阻高,但是溫度系數(shù)大,可用于高頻電路


哪些外在因素會(huì)影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見(jiàn)原因

一、使用中出問(wèn)題的原因
1.運(yùn)行電壓過(guò)高引起移相電容器過(guò)早淘汰,電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運(yùn)行電壓的平方成正比,運(yùn)行電壓的升高,使電容器溫度顯著增加,另外在長(zhǎng)期電場(chǎng)的作用下,會(huì)加速電容器絕緣的老化

2.操作過(guò)電壓引起電容器的損壞,切斷并聯(lián)電容器組時(shí),可能引起電感一電容回路的振蕩過(guò)程。從而產(chǎn)生操作過(guò)電壓,切斷過(guò)程中,如果斷路器發(fā)生電弧重燃,將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩,出現(xiàn)更高的過(guò)電壓值。這一過(guò)電壓的幅值,與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān),也與電弧重燃時(shí)觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破,任何額定電壓的電容器組,均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘,必須于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)電容器放電3min后進(jìn)行。

二、運(yùn)行溫度過(guò)高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過(guò)高,目前YY型及YL型移相電容器周?chē)諝鉁囟认蛋匆?5-40C設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度不超過(guò)40‘C的要求,在我國(guó)許多地區(qū)難以滿足。因此,新型的低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置,其周?chē)諝鉁囟认蛋匆?0-55C設(shè)計(jì)。

2.戶外式電容器日光直接照射,移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時(shí),由于日光直接照射下,由于超溫運(yùn)行原因。年損壞率很高,有的可達(dá)10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中,散熱不良,夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時(shí),也會(huì)集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運(yùn)行電流和輸出無(wú)功功率,大幅度地超過(guò)額定值。

2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時(shí),可能產(chǎn)生諧波共振過(guò)電壓


四、開(kāi)關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時(shí),如果開(kāi)關(guān)不重燃、開(kāi)斷時(shí)不會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。也不會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流。提高開(kāi)關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長(zhǎng)電容器使用壽命的一個(gè)重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小,所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響,面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過(guò)程中,膜層之間存在微量的空氣,且較難完全消除。電容器工作時(shí),空氣在電場(chǎng)作用下,有可能被電離。空氣電離后產(chǎn)生臭氧,臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體,常溫下自行分解為氧,是一種強(qiáng)氧化劑,低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層(成份為Zn/Al)遇到臭氧分解的氧后立即氧化,生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3,實(shí)際表現(xiàn)為板面積減小,電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣,可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時(shí),空氣的擊穿電位會(huì)降低,加快空氣電離,產(chǎn)生大量的臭氧,氧化金屬化薄膜的金屬鍍層,電容器的容量會(huì)迅速下降。

TDK成功開(kāi)發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱(chēng):Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱(chēng):Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過(guò)薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì),與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過(guò)這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。

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