TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2474J563

電容器的頻率特性是廠家所關(guān)注的一項(xiàng)重要指標(biāo)，它關(guān)系到一個產(chǎn)品的設(shè)計成功與失敗。
它與電容器的使用材料和制造方法密切相關(guān)，選用不同的材料和方法所制造出來的電容器
產(chǎn)品性能的差異是巨大的，而電容器廠家會根據(jù)電容器的用途而去選用不同的材料和方法。
隨著施加于電容器兩端頻率的升高，電容器的損耗加大，容量降低，耐壓下降。而我們
生產(chǎn)的薄膜電容器，在出售之前都會進(jìn)行頻率特性測試，下面介紹下我們的測試。

薄膜電容器工作頻率特性測試

1.選取一只聯(lián)接可調(diào)頻率電壓源上，將溫度傳感器堅固電容器上。

2.打開可調(diào)頻率電壓源，調(diào)度至適合的電壓值，頻率調(diào)度至最低，并用存儲示波器觀察波形。

3.垂垂升高頻率至30khz保持10分鐘并記錄溫度值，后每增加5khz保持10分鐘并記錄溫度值。

4.當(dāng)達(dá)到80khz每次增加1khz 保持10分鐘并記錄溫度值，直至達(dá)到電容器最高工作溫度，停
止測試。

哪些外在因素會影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見原因

一、使用中出問題的原因
1.運(yùn)行電壓過高引起移相電容器過早淘汰，電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運(yùn)行電壓的平方成正比，運(yùn)行電壓的升高，使電容器溫度顯著增加，另外在長期電場的作用下，會加速電容器絕緣的老化

2.操作過電壓引起電容器的損壞，切斷并聯(lián)電容器組時，可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓，切斷過程中，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩，出現(xiàn)更高的過電壓值。這一過電壓的幅值，與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破，任何額定電壓的電容器組，均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘，必須于開關(guān)斷開電容器放電3min后進(jìn)行。

二、運(yùn)行溫度過高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過高，目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計。環(huán)境溫度不超過40‘C的要求，在我國許多地區(qū)難以滿足。因此，新型的低壓無功補(bǔ)償裝置，其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計。

2.戶外式電容器日光直接照射，移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時，由于日光直接照射下，由于超溫運(yùn)行原因。年損壞率很高，有的可達(dá)10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中，散熱不良，夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時，也會集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運(yùn)行電流和輸出無功功率，大幅度地超過額定值。

2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時，可能產(chǎn)生諧波共振過電壓


四、開關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時，如果開關(guān)不重燃、開斷時不會產(chǎn)生過電壓。也不會產(chǎn)生過電流。提高開關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長電容器使用壽命的一個重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小，所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響，面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過程中，膜層之間存在微量的空氣，且較難完全消除。電容器工作時，空氣在電場作用下，有可能被電離?？諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧，臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體，常溫下自行分解為氧，是一種強(qiáng)氧化劑，低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層（成份為Zn/Al）遇到臭氧分解的氧后立即氧化，生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3，實(shí)際表現(xiàn)為板面積減小，電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣，可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時，空氣的擊穿電位會降低，加快空氣電離，產(chǎn)生大量的臭氧，氧化金屬化薄膜的金屬鍍層，電容器的容量會迅速下降。

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計，與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。