電壓

1600

電流

1200

R1275NS16L西碼晶閘管中頻電源設(shè)備性能可靠

晶閘管的選用
1、選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通單向晶閘管。
若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。
若用于交流電動機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等，可選用門極關(guān)斷晶閘管。
若用于鋸齒波發(fā)生器、長時(shí)間延時(shí)器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG晶閘管。
若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)晶閘管。
若用于光電耦合器、光探測器、光報(bào)警器、光計(jì)數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運(yùn)行電路，可選用光控晶閘管。
2、選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。
所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的工作電壓和工作電流1．5～2倍。
晶閘管的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各項(xiàng)要求，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作。

KP晶閘管是一種用于控制電流的半導(dǎo)體器件，具有以下功能：
1. 開關(guān)功能：KP晶閘管可以在控制電壓施加時(shí)通電，斷電時(shí)截止，實(shí)現(xiàn)電流的開關(guān)控制。
2. 放大功能：KP晶閘管可以將微弱的控制電流放大為較大的電流，用于控制大功率電路。
3. 可控性：KP晶閘管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)可以通過控制電壓的大小和極性來控制，具有可控性。
4. 高速開關(guān)：KP晶閘管具有快速的開關(guān)速度，可以在毫秒級別的時(shí)間內(nèi)完成導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換。
5. 低功耗：KP晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的電壓降和功耗，有助于提高電路的效率。
6. 可靠性：KP晶閘管具有較高的耐壓和耐電流能力，可在惡劣的工作環(huán)境下長時(shí)間穩(wěn)定工作。
綜上所述，KP晶閘管的功能主要包括開關(guān)功能、放大功能、可控性、高速開關(guān)、低功耗和可靠性。這些功能使得KP晶閘管在電力控制、電子調(diào)速、電磁場控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

KP晶閘管的特點(diǎn)如下：
1. 具有高電流承受能力：KP晶閘管能夠承受較高的電流，通?？蛇_(dá)幾百安培。
2. 具有高電壓承受能力：KP晶閘管能夠承受較高的電壓，通常可達(dá)幾千伏。
3. 具有快速開關(guān)特性：KP晶閘管的開關(guān)速度較快，可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作。
4. 具有可控性：KP晶閘管可以通過控制極的電壓或電流來控制其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。
5. 具有高溫工作能力：KP晶閘管可以在高溫環(huán)境下正常工作，通?？蛇_(dá)幾百攝氏度。
6. 具有較低的開啟壓降：KP晶閘管的開啟壓降較低，可以減小功率損耗。
7. 具有較高的可靠性：KP晶閘管的可靠性較高，壽命長，不易損壞。
總之，KP晶閘管具有高電流、高電壓承受能力，快速開關(guān)特性，可控性強(qiáng)，適用于高溫環(huán)境，并具有較低的開啟壓降和較高的可靠性。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。
可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。
可控硅有三個(gè)----陽(A)、陰(C)和控制(G)，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制加上很小的電流或電壓，能控制很大的陽電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我們可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只N管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽和陰之間加上一個(gè)正向電壓E，又在控制G和陰C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電電流IC2。因?yàn)锽G2集電與BG1基相連，IC2又是BG1的基電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電電流IC1送回BG2的基放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。
可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。
可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。

可控硅主要參數(shù)：電流
1、額定通態(tài)電流即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2、反向重復(fù)峰值電壓或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏；
3、控制極觸發(fā)電流，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安；
4、在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。