CRRC整流管ZP9-2000-20充電設備性能可靠

晶閘管的工作條件
由于晶閘管只有導通和關斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化：
(1)晶閘管承受反向陽極電壓時,無論門極承受何種電壓,晶閘管都處于關斷狀態(tài)。
(2)晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。
(3)晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,無論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。
(4)晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。

晶閘管的檢測
1、判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結，具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。
2、觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。

晶閘管的種類？
1， 可關斷型晶閘管 KG
普通型晶閘管，在控制極G加上正向觸發(fā)信號普通型晶閘管導通后，控制極G就失去作用，要使普通型晶閘管關斷，必須陽極A與陰極K的正向電壓為零或加上負電壓。而可關斷型晶閘管只要在控制極G加上足夠大且較寬的負向觸發(fā)電流，就可以使晶閘管有效關斷。
用途：一般使用在斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源及直流控制電路中，如直流負載（繼電器線圈、電磁閥、電磁離合器、直流電機）的電源通斷、汽車點火器等。
2， 雙向晶閘管 KS
普通型晶閘管，如果在陽極A與陰極K的加上負向電壓，即使在控制極G加上正向觸發(fā)信號，普通型晶閘管也不會導通。而雙向晶閘管卻能夠導通。要使雙向晶閘管關斷，必須陽極A與陰極K的之間的電壓為零。
用途：一般使用在交/直流控制電路中，如調(diào)壓器；逆變器；交/直流負載開關等。
3， 逆導晶閘管KN（亦稱反向導通晶閘管）
在某些應用場合（如逆變器、斬波器等）要求晶閘管陽極A與陰極K端并接反向二極管，而逆導晶閘管正是基于這個要求，在一個硅片材料上，將晶閘管與反向二極管集成在了一起。因而逆導晶閘管具有正向導通可控、反向自然導通且可通過大電流的不可控；具有耐高壓、耐高溫；關斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能等特點。
用途：一般用于開關電源；UPS不間斷電源；高壓、大功率負載上。如軌道交通的電源。
4， 快速晶閘管KK
由于在某些應用領域，要求晶閘管能夠快速響應及通斷功能，而快速晶閘管是在普通晶閘管制作基礎上，改變了制作工藝，使得晶閘管在開通與關斷時間上大幅縮短，開通時間為8μs左右；關斷時間為50μs左右。主電路換向時間小于60ms，同時工作頻率也提升至幾千HZ。
用途：常用于UPS不間斷電源；三相變頻電源；中頻電源；超聲波電源；逆變器、斬波器；快速開關，脈寬調(diào)制器，多諧振蕩器等
5，光控晶閘管
光控晶閘管是既可利用光源激發(fā)導通；也可象普通晶閘管由控制極G觸發(fā)信號來導通的晶閘管，在結構上有兩端（無控制極G）和三端之分。光控制是，其主電路與控制電路在電氣上完全絕緣。

二極管主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線。
⒈正向特性
當加在二極管兩端的正向電壓（P為正、N為負）很小時（鍺管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不導通，處于“截止”狀態(tài)，當正向電壓超過一定數(shù)值后，管子才導通，電
二極管伏安特性曲線
二極管伏安特性曲線
壓再稍微，電流急劇暗加（見曲線I段）。不同材料的二極管，起始電壓不同，硅管為0.5-0.7伏左右，鍺管為0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線Ⅱ段）。不同材料的二極管，反向電流大小不同，硅管約為1微安到幾十微安，鍺管則可高達數(shù)百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩(wěn)定性比硅管差。
⒊擊穿特性
當反向電壓增加到某一數(shù)值時，反向電流急劇，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由1伏到幾百伏，甚達數(shù)千伏。
⒋頻率特性
由于結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使PN結短路。導致二極管失去單向導電性，不能工作，PN結面積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作。

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分

特性曲線
與PN結一樣，二極管具有單向導電性。硅二極管典型伏安
特性曲線（圖）。在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數(shù)規(guī)律，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。