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R350SH10西碼平板可控硅軟啟動(dòng)量大從優(yōu)

330元2023-09-09 11:48:09
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  • 上海聚肯電子科技有限公司
  • 西碼可控硅,WESTCODE晶閘管
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晶閘管的選用
1、選擇晶閘管的類(lèi)型:晶閘管有多種類(lèi)型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開(kāi)關(guān)電源保護(hù)電路等,可選用普通單向晶閘管。
若用于交流開(kāi)關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,應(yīng)選用雙向晶閘管。
若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開(kāi)關(guān)電路等,可選用門(mén)極關(guān)斷晶閘管。
若用于鋸齒波發(fā)生器、長(zhǎng)時(shí)間延時(shí)器、過(guò)電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,可選用BTG晶閘管。
若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲(chǔ)存系統(tǒng)及開(kāi)關(guān)電源等電路,可選用逆導(dǎo)晶閘管。
若用于光電耦合器、光探測(cè)器、光報(bào)警器、光計(jì)數(shù)器、光電邏輯電路及自動(dòng)生產(chǎn)線的運(yùn)行電路,可選用光控晶閘管。
2、選擇晶閘管的主要參數(shù):晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。
所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的工作電壓和工作電流1.5~2倍。
晶閘管的正向壓降、門(mén)極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門(mén)極的控制電路)的各項(xiàng)要求,不能偏高或偏低,否則會(huì)影響晶閘管的正常工作。

KP晶閘管是一種用于控制電流的半導(dǎo)體器件,具有以下功能:
1. 開(kāi)關(guān)功能:KP晶閘管可以在控制電壓施加時(shí)通電,斷電時(shí)截止,實(shí)現(xiàn)電流的開(kāi)關(guān)控制。
2. 放大功能:KP晶閘管可以將微弱的控制電流放大為較大的電流,用于控制大功率電路。
3. 可控性:KP晶閘管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)可以通過(guò)控制電壓的大小和極性來(lái)控制,具有可控性。
4. 高速開(kāi)關(guān):KP晶閘管具有快速的開(kāi)關(guān)速度,可以在毫秒級(jí)別的時(shí)間內(nèi)完成導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換。
5. 低功耗:KP晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的電壓降和功耗,有助于提高電路的效率。
6. 可靠性:KP晶閘管具有較高的耐壓和耐電流能力,可在惡劣的工作環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
綜上所述,KP晶閘管的功能主要包括開(kāi)關(guān)功能、放大功能、可控性、高速開(kāi)關(guān)、低功耗和可靠性。這些功能使得KP晶閘管在電力控制、電子調(diào)速、電磁場(chǎng)控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

可控硅有多種分類(lèi)方法:
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種;
2、按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅;
3、按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種;
4、按電流容量分類(lèi):可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝;
5、按關(guān)斷速度分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅;
6、過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅;
7、非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比。

可控硅產(chǎn)品性能特點(diǎn):
1、在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài);
2、可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用;
3、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等;
4、可控硅從外形類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形。

測(cè)量方法
鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。
陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通) 。
控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。
若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。

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