普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯半導體器件功率分析儀感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們,詳詢一八一四零六六三四七六；
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等