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現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

DRAM特點如下：
●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8]
●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作。 [8]
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 [8]
●優(yōu)點： 集成度遠高于SRAM、功耗低，價格也低。 [8]
●缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 [8]
盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

沒有任何兩塊被生產(chǎn)出來的網(wǎng)卡擁有同樣的地址。這是因為電氣電子工程師協(xié)會（IEEE）負責(zé)為網(wǎng)絡(luò)接口控制器（網(wǎng)卡）銷售商分配唯一的MAC地址。

網(wǎng)卡上面裝有處理器和存儲器（包括RAM和ROM）。網(wǎng)卡和局域網(wǎng)之間的通信是通過電纜或雙絞線以串行傳輸方式進行的。而網(wǎng)卡和計算機之間的通信則是通過計算機主板上的I/O總線以并行傳輸方式進行。因此，網(wǎng)卡的一個重要功能就是要進行串行/并行轉(zhuǎn)換。由于網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)率和計算機總線上的數(shù)據(jù)率并不相同，因此在網(wǎng)卡中必須裝有對數(shù)據(jù)進行緩存的存儲芯片。

在安裝網(wǎng)卡時必須將管理網(wǎng)卡的設(shè)備驅(qū)動程序安裝在計算機的操作系統(tǒng)中。這個驅(qū)動程序以后就會告訴網(wǎng)卡，應(yīng)當(dāng)從存儲器的什么位置上將局域網(wǎng)傳送過來的數(shù)據(jù)塊存儲下來。網(wǎng)卡還要能夠?qū)崿F(xiàn)以太網(wǎng)協(xié)議。