用于化學機械拋光：在多晶硅的加工過程中，需要進行化學機械拋光（CMP）來獲得平整的表面。氫氧化鋯可以作為拋光漿料中的磨料成分之一。它與氧化鋁、二氧化硅等其他磨料配合使用，通過化學反應和機械研磨的共同作用，去除多晶硅表面的多余材料，實現(xiàn)表面平坦化。拋光過程中，氫氧化鋯可以提供合適的研磨能力，有助于提高拋光效率和表面質量，使多晶硅表面的粗糙度降低，滿足后續(xù)工藝要求，例如在半導體制造中，為后續(xù)的光刻等工藝提供良好的表面基礎。zirconium tetra hydroxide
分子式：ZrO(OH)2
分子量：250.4774
氫氧化鋯 CAS.14475-63-9