封裝外形

平板形

極數(shù)

三極

PROTON晶閘管T193-4000-20礦山電氣設(shè)備

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:
(1〕受正向陽(yáng)極電壓;
(2)受正向門(mén)極電壓。
(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線(xiàn)，2.門(mén)極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:
主要參數(shù)編輯電流⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即穩(wěn)定工作電流，俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM)，俗稱(chēng)耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT)，俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、變焊機(jī)、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動(dòng)裝置、電梯或傳動(dòng)設(shè)備、機(jī)車(chē)與列車(chē)用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通?？刂茦O的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源(圖3中的開(kāi)關(guān)S)或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的小值(稱(chēng)為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么，在電壓過(guò)零時(shí)，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。
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可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑晤?lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。
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晶閘管的注意事項(xiàng)：
1、在檢查大功率器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使可靠地導(dǎo)通；
2、要準(zhǔn)確測(cè)量的關(guān)斷增益，必須有測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果僅供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)；
逆導(dǎo)晶閘管亦稱(chēng)反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)與陰之間反向并聯(lián)一只二管，使陽(yáng)與陰的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續(xù)流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)；
逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱(chēng)性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標(biāo)位置不同）。

晶閘管的工作原理：
1、晶閘管具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)l件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發(fā)信號(hào)；
2、晶閘管一旦導(dǎo)通，控制失去作用：若使其關(guān)斷，必須降低UAK或加大回路電阻，把陽(yáng)電流減小到維持電流以下；
晶閘管的結(jié)構(gòu)：晶閘管由四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，它有三個(gè)：陽(yáng)，陰和門(mén)。晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種大功率半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。