封裝外形

平板形

極數(shù)

二極

歐派克晶閘管T218N12TOF斬波器售后保障

可控硅技術是具有半個多世紀的技術，在可控硅調(diào)光技術之后，照明行業(yè)有采用0/1-10V模擬調(diào)光、DMX512與DALI等數(shù)字調(diào)光協(xié)議技術。但是，可控硅調(diào)光技術卻有著一定的的優(yōu)勢，一個是歷史傳承原因，另外一個無需信號線，不用改變原有線路的簡便性，成本低、施工方便比較受工程方歡迎，所以可控硅調(diào)光電源還是占據(jù)調(diào)光電源的市場份額。大家都說可控硅調(diào)光要做匹配測試到底在匹配什么?一般可控硅產(chǎn)品仍具有兼容性等問題盡管多個跨國大LED驅動IC的廠開發(fā)出了可以兼容現(xiàn)有可控硅調(diào)光器的IC芯片來，一般電源公司的可控硅電源都是利用這種通用IC方案實現(xiàn)的，針對市面上有幾百上千種不同規(guī)格的可控硅和晶體管調(diào)光開關，實際上所開發(fā)的IC根本不可能兼容大多數(shù)的可控硅開關，兼容性比較低，兼容一直困擾整個行業(yè)。經(jīng)常會聽到工程客戶說找了很多廠家的電源，都沒有辦法兼容到光控制系統(tǒng)。除此之外大多數(shù)可控硅電源還有許多較常見的問題像調(diào)光效果不好、調(diào)光范圍窄、容易出現(xiàn)閃爍等。
兼容性，是調(diào)光器與調(diào)光電源的匹配說到可控硅調(diào)光的兼容性問題，其中一個常見問題在于通常切相調(diào)光器在調(diào)光時所產(chǎn)生的和小觸發(fā)角存在著很大的不一致，導致LED燈具調(diào)光性能的差異化。不不同的觸發(fā)角的變動范圍都非常大，如此一來，其導通時間和施加給負載的功率也會出現(xiàn)變化。相切調(diào)光器的導通周期都與LED的工作電流直接相關，并因此而影響著燈具的發(fā)光量。假設LED驅動電源具有固定的調(diào)光曲線，針對不同的調(diào)光器，該驅動電源電路的性能表現(xiàn)也會不一樣。此外，調(diào)光曲線上的任何非線性都會加劇調(diào)光器之間的性能差異。

可控硅產(chǎn)品性能特點：
1、在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)；
2、可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用；
3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等；
4、可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。

可控硅使用注意事項：
1、外加電壓極性要正確，即陽極到陰極之間加正向電壓，控制極到陰極之間也加正向電壓；
2、為了保證可控硅安全工作，應選擇額定耐壓為實際工作電壓的2~3倍，正向平均電流為實際工作電流的1.5~@倍的管子；
3、為了保證可控硅可靠地導通．應盡量用大的觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流，因眺電壓、電流較大可以相應降低可控硅的轉折導通電壓。比如額定觸發(fā)電壓為2.5V的，可使用4.5V以上的電壓，但為防止PN結燒毀．—般以不超過10V為好；
4、焊接或緊固可控硅時，必須保證電氣接觸良好，否則因側啪接觸電阻就會引起很大的功率消耗；
5、可控硅的保護方法：一是散熱，可控硅是大功率器件，散熱是一個突出的問題，規(guī)定20A以下的可控硅靠自身散熱器自然散熱，20A以上的大電流可控硅則必須強迫冷卻，其方法有風冷和水冷散熱。二是過流保護，雖然在選擇可控硅時已留有余量，但也可能出現(xiàn)超過額定值的情況，為此可在可控硅陽極或陰極串聯(lián)一個熔斷器，應選快速熔斷器，如RSL、RSO、RSS等型號；
6、可控硅損壞后的修理：如果是可控硅性能變壞引起誤導通，造成電器工作時好時壞，只要確認其它元件無問題，則可暫時拆去可控硅不用，待買到同型號可控硅時再捍上使用；根據(jù)可控硅的結構特點和原理，可用合適參數(shù)的三極管組成復合管代用；可以選擇同型號或相同參數(shù)(正反向重復峰值電壓、額定正向平均電壓、控制極觸發(fā)電壓和電流)的可控硅代換，各種型號的進口可控硅均可用國產(chǎn)可控硅代換，代換時要注意外形尺寸相近，以便安裝。

可控硅的主要作用：
1、普通晶閘管基本的用途就是可控整流。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通；
2、通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導通角θ；
3、α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。

可控硅的工作原理為：
1、要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)；
2、如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源或使陽極電流小于維持導通的小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。